Circuito amplificador de DJ MosFet de alta potencia de 250 vatios

Circuito amplificador de DJ MosFet de alta potencia de 250 vatios

El potente diseño del circuito amplificador MOSFET de DJ que se proporciona en este artículo es razonablemente fácil de construir y producirá 250 vatios de música en un altavoz de 4 ohmios. El uso de HEXFET en la salida asegura una amplificación de voltaje y corriente monstruosa.

La participación de MOSFET o más bien HEXFET en la etapa de salida de este circuito amplificador mosfet de 250 vatios promete una amplificación alta y eficiente tanto de voltaje como de corriente. El circuito exhibe particularmente características impresionantes como baja distorsión y voltaje de compensación externa y ajustes de corriente en reposo.

Etapa de entrada del amplificador

Circuito amplificador MosFet de 250 vatios

Etapa de salida de potencia del amplificador

Salida de altavoz MosFet de 250 vatios

Cómo funciona el circuito

Este excelente circuito amplificador mosfet de 250 vatios se puede utilizar como amplificador de DJ en conciertos, fiestas, terrenos abiertos, etc. El diseño simétrico produce distorsiones insignificantes. Intentemos analizar los detalles del circuito:



Refiriéndonos al diagrama del circuito, vemos que las etapas de entrada consisten principalmente en dos amplificadores diferenciales. Los bloques T1 y T2 en realidad son transistores duales emparejados en un solo paquete, pero puede optar por transistores discretos, solo asegúrese de que sus hFes coincidan correctamente. Utilice un par de BC 547 y BC 557 para los tipos NPN y PNP respectivamente.

Una configuración diferencial es probablemente la manera perfecta de integrar dos señales, por ejemplo, aquí la entrada y las señales de retroalimentación se mezclan de manera tan eficiente.

Normalmente, la relación de las resistencias colector / emisor de T1 determina la amplificación de esta etapa.
La referencia de funcionamiento de CC para T1 y T2 se recibe de un par de transistores T3 y T4 junto con los LED asociados.

La red de LED / transistor anterior también ayuda a proporcionar una fuente de corriente constante a la etapa de entrada, ya que prácticamente no se ve afectada por las variaciones de temperatura ambiente, pero preferiblemente el par de LED / transistor debe unirse pegándolos o al menos soldando muy cerca de entre sí sobre el PCB.

Inmediatamente después del condensador de acoplamiento C1, la red que comprende R2, R3 y C2 forma un filtro de paso bajo eficaz y ayuda a mantener un ancho de banda a un nivel adecuado para el amplificador.
Otra pequeña red en la entrada, que incluye un preajuste de 1M y un par de resistencias de 2M2, ayuda a ajustar el voltaje de compensación para que el componente de CC en la salida del amplificador se mantenga en potencial cero.

Después de la etapa diferencial, se introduce una etapa de conductor intermedia que comprende T5 y T7. La configuración que consta de T6, R9 y R17 forma una especie de regulador de voltaje variable, que se utiliza para establecer el consumo de corriente en reposo del circuito.

La señal reforzada de la etapa anterior va a la etapa del controlador que consta de T8 y T9 que se utilizan de manera efectiva para impulsar la etapa de potencia de salida que involucra a los HEXFET T10 y T11, donde las señales finalmente se someten a una amplificación masiva de corriente y voltaje.

En el diagrama se puede identificar claramente que T10 es un canal py T11 es un FET de canal n. Esta configuración permite una amplificación eficiente de la corriente y el voltaje en esta etapa. Sin embargo, la amplificación general está limitada a 3 debido al cableado de retroalimentación de R22 / R23 y también con R8 / C2. La limitación asegura una baja distorsión en la salida.

A diferencia de los transistores bipolares, aquí la etapa de salida que incorpora HEXFET tiene una clara ventaja sobre su contraparte antigua. Los HEXFET son dispositivos de coeficiente de temperatura positivo están equipados con la propiedad inherente de limitar su fuente de drenaje ya que la temperatura de la carcasa tiende a calentarse demasiado, lo que protege al dispositivo de situaciones de fuga térmica y quemaduras.

La resistencia R26 y el condensador en serie compensan la impedancia creciente del altavoz a frecuencias más altas. El inductor L1 se coloca para proteger el altavoz de las señales de pico ascendentes instantáneas.

Lista de partes

  • R1 = 100 K
  • R2 = 100 K
  • R3 = 2K
  • R4,5,6,7 = 33 E
  • R8 = 3K3,
  • R9 = 1K PREAJUSTADO,
  • R10,11,12,13 = 1K2,
  • R14,15 = 470E,
  • R16 = 3K3,
  • R17 = 470E,
  • R18,19,21,24 = 12E,
  • R22 = 220, 5 VATIOS
  • R20,25 = 220E,
  • R23 = 56E, 5 VATIOS
  • R26 = 5E6, ½ VATIO
  • C1 = 2,2 uF, PPC,
  • C2 = 1nF,
  • C3 = 330pF,
  • C6 = 0,1 uF, mkt,
  • T3 = BC557B,
  • T4 = BC547B,
  • T7,9 =
    TIP32,
  • T5,6,8 = TIP31,
  • T10 = IRF9540,
  • T11 = IRF540,
Diseño de amplificador completo de 160 vatios con distribución de pines

En el siguiente diagrama se puede ver una versión alternativa del amplificador de potencia de 250 vatios explicado anteriormente con todos los detalles sobre los componentes:




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